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三星在2023年年度三星代工论坛 (SFF) 上公布了更新的制造技术路线图。该公司有望分别于 2025年和 2027年在其 2纳米和 1.4纳米级节点上生产芯片。此外，该公司还计划在未来几年增加领先的 5 纳米级射频制造工艺并开始生产 GaN 芯片。
与SF3（第二代 3nm 级）相比（在相同晶体管数量下），三星预计其 SF2（2nm 级）制造技术可将功率效率提高 25%（在相同频率和晶体管数量下），将性能提高 12%（在相同功率和复杂性下），并将面积减少 5%该公司。该公司将于 2025 年开始在 2nm 节点上制造移动 SoC，并于 2026 年跟进 HPC 增强型 SF2P 节点同时，SF1.4（1.4nm级）制造工艺预计将于2027年提供给三星客户。
为了使其 SF2 节点更具竞争力，三星打算确保其客户很快就能获得一系列高质量的 SF2 IP，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等接口。
三星还计划于 2025 年开始生产氮化镓 (GaN) 功率半导体。这些芯片将面向各种应用，从消费电子产品到数据中心和汽车行业。
三星代工厂不仅专注于扩大其技术组合，还致力于增强其在美国和韩国的制造能力。该公司计划于 2023 年下半年在平泽 3 号生产线(P3)开始大批量生产芯片。至于位于德克萨斯州泰勒的工厂，预计将于今年年底完成建设，其预计将于 2024 年下半年开始运营。
作为其宏伟目标的一部分，三星计划到 2027 年将其洁净室总产能提高 7.3 倍，与 2021 年拥有的产能相比大幅增长。
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